開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)
2019-06-01 08:19:49 點(diǎn)擊：
開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì )跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展關(guān)注焦點(diǎn)調查，得出來(lái)以下十個(gè)熱門(mén)關(guān)注點(diǎn)。
關(guān)注點(diǎn)一：功率半導體器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“ 超級結”（Super-Junction）結構，故又稱(chēng)超結功率 MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數量級，仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體電子器件。
IGBT剛出現時(shí)，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長(cháng)一段時(shí)間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現在 IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開(kāi)關(guān)）和300kHz（軟開(kāi)關(guān)）。
IGBT的技術(shù)進(jìn)展實(shí)際上是通態(tài)壓降，快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著(zhù)工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場(chǎng)截止（FS）型。
碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、 PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。
專(zhuān)家指出碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關(guān)注點(diǎn)二：開(kāi)關(guān)電源功率密度
提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備（如移動(dòng)電話(huà)，數字相機等）尤為重要。使開(kāi)關(guān)電源小型化的具體辦法有：
一是高頻化。為了實(shí)現電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實(shí)現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的 “電壓-振動(dòng)”變換和“振動(dòng)- 電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個(gè)串并聯(lián)諧振電路，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進(jìn)電容器的性能，提高能量密度，并研究開(kāi)發(fā)適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR 小、體積小等。
關(guān)注點(diǎn)三：高頻磁與同步整流技術(shù)
電源系統中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件，有許多問(wèn)題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，納米結晶軟磁材料也已開(kāi)發(fā)應用。
高頻化以后，為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率，必須開(kāi)發(fā)和應用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。它是過(guò)去幾十年國際電源界的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
對于低電壓、大電流輸出的軟開(kāi)關(guān)變換器，進(jìn)一步提高其效率的措施是設法降低開(kāi)關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管，代替蕭特基二極管（SBD），可降低管壓降，從而提高電路效率。
關(guān)注點(diǎn)四：分布電源結構
分布電源系統適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站（如圖像處理站）、大型數字電子交換系統等的電源，其優(yōu)點(diǎn)是：可實(shí)現 DC/DC變換器組件模塊化；容易實(shí)現N+1功率冗余，易于擴增負載容量；可降低48V母線(xiàn)上的電流和電壓降；容易做到熱分布均勻、便于散熱 設計；瞬態(tài)響應好；可在線(xiàn)更換失效模塊等。
現在分布電源系統有兩種結構類(lèi)型，一是兩級結構，另一種是三級結構。
關(guān)注點(diǎn)五：PFC變換器
由于A(yíng)C/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時(shí)，單相整流電源供電的電子設備，電網(wǎng)側（交流輸入端）功率因數僅為 0.6～0.65。采用PFC（功率因數校正）變換器，網(wǎng)側功率因數可提高到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱(chēng)為有源功率因數校正APFC單相APFC國內外開(kāi)發(fā)較早，技術(shù)已較成熟；三相APFC的拓撲類(lèi)型和控制策略雖然已經(jīng)有很多種，但還有待繼續研究發(fā)展。
一般高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，由兩級拓撲組成，對于小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，采用兩級拓撲結構總體效率低、成本高。
如果對輸入端功率因數要求不特別高時(shí)，將PFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個(gè)拓撲，構成單級高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，只用一個(gè)主開(kāi)關(guān)管，可使功率因數校正到0.8以上，并使輸出直流電壓可調，這種拓撲結構稱(chēng)為單管單級即S4PFC變換器。
關(guān)注點(diǎn)六：電壓調節器模塊VRM
電壓調節器模塊是一類(lèi)低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊，向微處理器提供電源。
現在數據處理系統的速度和效率日益提高，為降低微處理器IC的電場(chǎng)強度和功耗，必須降低邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V，而電流則高達50A～100A，所以對VRM的要求是：輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應等。
關(guān)注點(diǎn)七：全數字化控制
電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數混合控制，進(jìn)入到全數字控制階段。全數字控制是一個(gè)新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設備中得到應用。
但是過(guò)去數字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來(lái)，電源的高性能全數字控制芯片已經(jīng)開(kāi)發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開(kāi)發(fā)并制造出開(kāi)關(guān)變換器的數字控制芯片及軟件。
全數字控制的優(yōu)點(diǎn)是：數字 信號與混合模數信號相比可以標定更小的量，芯片價(jià)格也更低廉；對電流檢測誤差可以進(jìn)行精確的數字校正，電壓檢測也更精確；可以實(shí)現快速，靈活的控制設計。
關(guān)注點(diǎn)八：電磁兼容性
高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容EMC問(wèn)題有其特殊性。功率半導體開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的di/dt和dv /dt，引起強大的傳導電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會(huì )引起強電磁場(chǎng)（通常是近場(chǎng)）輻射。不但嚴重污染周?chē)姶怒h(huán)境，對附近的電氣設備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時(shí)，電力電子電路（如開(kāi)關(guān)變換器）內部的控制電路也必須能承受開(kāi)關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的EMI及應用現場(chǎng)電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著(zhù)許多交*科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國內外許多大學(xué)均開(kāi)展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問(wèn)題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開(kāi)關(guān)變換器中的電磁噪音源，主要來(lái)自主開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)作用所產(chǎn)生的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。
關(guān)注點(diǎn)九：設計和測試技術(shù)
建模、仿真和CAD是一種新的設計工具。為仿真電源系統，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數字和模擬控制電路以及磁元件和磁場(chǎng)分布模型等，還要考慮開(kāi)關(guān)管的熱模型、可*性模型和 EMC模型。各種模型差別很大，建模的發(fā)展方向是：數字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個(gè)統一的多層次模型等。
電源系統的CAD，包括主電路和控制電路設計、器件選擇、參數最優(yōu)化、磁設計、熱設計、EMI設計和印制電路板設計、可*性預估、計算機輔助綜合和優(yōu)化設計等。用基于仿真的專(zhuān)家系統進(jìn)行電源系統的CAD，可使所設計的系統性能最優(yōu)，減少設計制造費用，并能做可制造性分析，是21世紀仿真和CAD技術(shù)的發(fā)展方向之一。此外，電源系統的熱測試、EMI測試、可*性測試等技術(shù)的開(kāi)發(fā)、研究與應用也是應大力發(fā)展的。
關(guān)注點(diǎn)十：系統集成技術(shù)
電源設備的制造特點(diǎn)是：非標準件多、勞動(dòng)強度大、設計周期長(cháng)、成本高、可*性低等，而用戶(hù)要求制造廠(chǎng)生產(chǎn)的電源產(chǎn)品更加實(shí)用、可*性更高、更輕小、成本更低。這些情況使電源制造廠(chǎng)家承受巨大壓力，迫切需要開(kāi)展集成電源模塊的研究開(kāi)發(fā)，使電源產(chǎn)品的標準化、模塊化、可制造性、規模生產(chǎn)、降低成本等目標得以實(shí)現。實(shí)際上，在電源集成技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，已經(jīng)經(jīng)歷了電力半導體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無(wú)源元件（包括磁集成技術(shù)）等發(fā)展階段。近年來(lái)的發(fā)展方向是將小功率電源系統集成在一個(gè)芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線(xiàn)長(cháng)度，從而減小了寄生參數。在此基礎上，可以實(shí)現一體化，所有元器件連同控制保護集成在一個(gè)模塊中。
關(guān)注點(diǎn)一：功率半導體器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用“ 超級結”（Super-Junction）結構，故又稱(chēng)超結功率 MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個(gè)數量級，仍保持開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體電子器件。
IGBT剛出現時(shí)，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長(cháng)一段時(shí)間內，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過(guò)長(cháng)時(shí)間的探索研究和改進(jìn)，現在 IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通（PT）型結構應用新技術(shù)制造的IGBT，可工作于150kHz（硬開(kāi)關(guān)）和300kHz（軟開(kāi)關(guān)）。
IGBT的技術(shù)進(jìn)展實(shí)際上是通態(tài)壓降，快速開(kāi)關(guān)和高耐壓能力三者的折中。隨著(zhù)工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進(jìn)程中，有以下幾種類(lèi)型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、軟穿通（SPT）型、溝漕型和電場(chǎng)截止（FS）型。
碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是：禁帶寬、工作溫度高（可達600℃）、熱穩定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、 PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。
專(zhuān)家指出碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料。
關(guān)注點(diǎn)二：開(kāi)關(guān)電源功率密度
提高開(kāi)關(guān)電源的功率密度，使之小型化、輕量化，是人們不斷努力追求的目標。電源的高頻化是國際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。電源的小型化、減輕重量對便攜式電子設備（如移動(dòng)電話(huà)，數字相機等）尤為重要。使開(kāi)關(guān)電源小型化的具體辦法有：
一是高頻化。為了實(shí)現電源高功率密度，必須提高PWM變換器的工作頻率、從而減小電路中儲能元件的體積重量。
二是應用壓電變壓器。應用壓電變壓器可使高頻功率變換器實(shí)現輕、小、薄和高功率密度。壓電變壓器利用壓電陶瓷材料特有的 “電壓-振動(dòng)”變換和“振動(dòng)- 電壓”變換的性質(zhì)傳送能量，其等效電路如同一個(gè)串并聯(lián)諧振電路，是功率變換領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。
三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進(jìn)電容器的性能，提高能量密度，并研究開(kāi)發(fā)適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯(lián)電阻ESR 小、體積小等。
關(guān)注點(diǎn)三：高頻磁與同步整流技術(shù)
電源系統中應用大量磁元件，高頻磁元件的材料、結構和性能都不同于工頻磁元件，有許多問(wèn)題需要研究。對高頻磁元件所用磁性材料有如下要求：損耗小，散熱性能好，磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注，納米結晶軟磁材料也已開(kāi)發(fā)應用。
高頻化以后，為了提高開(kāi)關(guān)電源的效率，必須開(kāi)發(fā)和應用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。它是過(guò)去幾十年國際電源界的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
對于低電壓、大電流輸出的軟開(kāi)關(guān)變換器，進(jìn)一步提高其效率的措施是設法降低開(kāi)關(guān)的通態(tài)損耗。例如同步整流SR技術(shù)，即以功率MOS管反接作為整流用開(kāi)關(guān)二極管，代替蕭特基二極管（SBD），可降低管壓降，從而提高電路效率。
關(guān)注點(diǎn)四：分布電源結構
分布電源系統適合于用作超高速集成電路組成的大型工作站（如圖像處理站）、大型數字電子交換系統等的電源，其優(yōu)點(diǎn)是：可實(shí)現 DC/DC變換器組件模塊化；容易實(shí)現N+1功率冗余，易于擴增負載容量；可降低48V母線(xiàn)上的電流和電壓降；容易做到熱分布均勻、便于散熱 設計；瞬態(tài)響應好；可在線(xiàn)更換失效模塊等。
現在分布電源系統有兩種結構類(lèi)型，一是兩級結構，另一種是三級結構。
關(guān)注點(diǎn)五：PFC變換器
由于A(yíng)C/DC變換電路的輸入端有整流元件和濾波電容，在正弦電壓輸入時(shí)，單相整流電源供電的電子設備，電網(wǎng)側（交流輸入端）功率因數僅為 0.6～0.65。采用PFC（功率因數校正）變換器，網(wǎng)側功率因數可提高到0.95～0.99，輸入電流THD小于10%。既治理了電網(wǎng)的諧波污染，又提高了電源的整體效率。這一技術(shù)稱(chēng)為有源功率因數校正APFC單相APFC國內外開(kāi)發(fā)較早，技術(shù)已較成熟；三相APFC的拓撲類(lèi)型和控制策略雖然已經(jīng)有很多種，但還有待繼續研究發(fā)展。
一般高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，由兩級拓撲組成，對于小功率AC/DC開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，采用兩級拓撲結構總體效率低、成本高。
如果對輸入端功率因數要求不特別高時(shí)，將PFC變換器和后級DC/DC變換器組合成一個(gè)拓撲，構成單級高功率因數AC/DC開(kāi)關(guān)電源，只用一個(gè)主開(kāi)關(guān)管，可使功率因數校正到0.8以上，并使輸出直流電壓可調，這種拓撲結構稱(chēng)為單管單級即S4PFC變換器。
關(guān)注點(diǎn)六：電壓調節器模塊VRM
電壓調節器模塊是一類(lèi)低電壓、大電流輸出DC-DC變換器模塊，向微處理器提供電源。
現在數據處理系統的速度和效率日益提高，為降低微處理器IC的電場(chǎng)強度和功耗，必須降低邏輯電壓，新一代微處理器的邏輯電壓已降低至1V，而電流則高達50A～100A，所以對VRM的要求是：輸出電壓很低、輸出電流大、電流變化率高、快速響應等。
關(guān)注點(diǎn)七：全數字化控制
電源的控制已經(jīng)由模擬控制，模數混合控制，進(jìn)入到全數字控制階段。全數字控制是一個(gè)新的發(fā)展趨勢，已經(jīng)在許多功率變換設備中得到應用。
但是過(guò)去數字控制在DC/DC變換器中用得較少。近兩年來(lái)，電源的高性能全數字控制芯片已經(jīng)開(kāi)發(fā)，費用也已降到比較合理的水平，歐美已有多家公司開(kāi)發(fā)并制造出開(kāi)關(guān)變換器的數字控制芯片及軟件。
全數字控制的優(yōu)點(diǎn)是：數字 信號與混合模數信號相比可以標定更小的量，芯片價(jià)格也更低廉；對電流檢測誤差可以進(jìn)行精確的數字校正，電壓檢測也更精確；可以實(shí)現快速，靈活的控制設計。
關(guān)注點(diǎn)八：電磁兼容性
高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容EMC問(wèn)題有其特殊性。功率半導體開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的di/dt和dv /dt，引起強大的傳導電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會(huì )引起強電磁場(chǎng)（通常是近場(chǎng)）輻射。不但嚴重污染周?chē)姶怒h(huán)境，對附近的電氣設備造成電磁干擾，還可能危及附近操作人員的安全。同時(shí)，電力電子電路（如開(kāi)關(guān)變換器）內部的控制電路也必須能承受開(kāi)關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生的EMI及應用現場(chǎng)電磁噪聲的干擾。上述特殊性，再加上EMI測量上的具體困難，在電力電子的電磁兼容領(lǐng)域里，存在著(zhù)許多交*科學(xué)的前沿課題有待人們研究。國內外許多大學(xué)均開(kāi)展了電力電子電路的電磁干擾和電磁兼容性問(wèn)題的研究，并取得了不少可喜成果。近幾年研究成果表明，開(kāi)關(guān)變換器中的電磁噪音源，主要來(lái)自主開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)作用所產(chǎn)生的電壓、電流變化。變化速度越快，電磁噪音越大。
關(guān)注點(diǎn)九：設計和測試技術(shù)
建模、仿真和CAD是一種新的設計工具。為仿真電源系統，首先要建立仿真模型，包括電力電子器件、變換器電路、數字和模擬控制電路以及磁元件和磁場(chǎng)分布模型等，還要考慮開(kāi)關(guān)管的熱模型、可*性模型和 EMC模型。各種模型差別很大，建模的發(fā)展方向是：數字-模擬混合建模、混合層次建模以及將各種模型組成一個(gè)統一的多層次模型等。
電源系統的CAD，包括主電路和控制電路設計、器件選擇、參數最優(yōu)化、磁設計、熱設計、EMI設計和印制電路板設計、可*性預估、計算機輔助綜合和優(yōu)化設計等。用基于仿真的專(zhuān)家系統進(jìn)行電源系統的CAD，可使所設計的系統性能最優(yōu)，減少設計制造費用，并能做可制造性分析，是21世紀仿真和CAD技術(shù)的發(fā)展方向之一。此外，電源系統的熱測試、EMI測試、可*性測試等技術(shù)的開(kāi)發(fā)、研究與應用也是應大力發(fā)展的。
關(guān)注點(diǎn)十：系統集成技術(shù)
電源設備的制造特點(diǎn)是：非標準件多、勞動(dòng)強度大、設計周期長(cháng)、成本高、可*性低等，而用戶(hù)要求制造廠(chǎng)生產(chǎn)的電源產(chǎn)品更加實(shí)用、可*性更高、更輕小、成本更低。這些情況使電源制造廠(chǎng)家承受巨大壓力，迫切需要開(kāi)展集成電源模塊的研究開(kāi)發(fā)，使電源產(chǎn)品的標準化、模塊化、可制造性、規模生產(chǎn)、降低成本等目標得以實(shí)現。實(shí)際上，在電源集成技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，已經(jīng)經(jīng)歷了電力半導體器件模塊化，功率與控制電路的集成化，集成無(wú)源元件（包括磁集成技術(shù)）等發(fā)展階段。近年來(lái)的發(fā)展方向是將小功率電源系統集成在一個(gè)芯片上，可以使電源產(chǎn)品更為緊湊，體積更小，也減小了引線(xiàn)長(cháng)度，從而減小了寄生參數。在此基礎上，可以實(shí)現一體化，所有元器件連同控制保護集成在一個(gè)模塊中。
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